近日，三星在半导体制程工艺和NAND Flash闪存领域消息不断。
继今年6月抢先宣布量产3纳米工艺之后，市场又有消息称三星计划在第四季度扩产4纳米制程。
据韩国媒体infostockdaily报道，三星4纳米在良率显著提升下，正着手扩产，预计今年第4季每月新增上看2万片产能。
报道称，三星晶圆代工4纳米制程因为良率提升至约六成，因此随客户需求提升而决议扩产，并规划在4纳米豪掷约5万亿韩元投资，欲争取更多高通、超威、英伟达等大厂代工订单。
业界指出，三星集团晶圆代工产能过往约六成提供自家芯片生产，其余承接委外订单，今年持续积极扩产，并扩大承接晶圆代工订单，将自家芯片产能占比降至五成，借此在存储器市况逆风下，提升半导体事业获利。
对于相关消息，三星表示，无法确认产量和投资增加问题。
韩国媒体BusinessKorea报导，三星今年将发布236层堆叠NAND Flash快闪存储器产品，还计划本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND Flash产品研发。
当前存储器制造商不断增加NAND Flash堆叠层数，以求更高效益。例如，西数与铠侠计划2022年底前开始量产162层闪存产品。未来，双方还将发力200+层闪存技术，并计划2032年之前陆续推出300+层以上、400+层与500+层闪存技术。
美光科技已于今年7月宣布开发全球首款232层堆叠NAND Flash，产品现已在美光新加坡工厂量产。未来，美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。
今年8月初，SK海力士也宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并计划在2023年上半年正式投入量产。
至于三星，尽管其作为全球最大的NAND Flash厂商，目前市占率高达35%，但研发记录还停留在176层。迫于竞争对手的压力，三星计划凭借生产技术、价格以及性能竞争力，将NAND Flash堆叠层数增加60层。
不过，三星236层堆叠NAND Flash推出的具体时间，还有待后续关注。
