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历时三年，中国集成电路半导体领域传出了令人振奋的消息，众硅科技研发出了在国际上具有领先优势的6抛光盘CMP设备，该设备被命名为众硅TTAIS300，该消息预示着中国在光刻机领域又迈出了重要的一步。
中国光刻机重要一步
历史三年，众硅科技的研究终于取得了成果，这次研究当中众硅科技投入巨大，通过大力引进行业顶尖设备，和高端人才，不断突破现有的技术领域，创造核心技术，在CMP领域多次突破，这才有了本次的成绩。
该设备相比于一些传统的普通设备而言，其设计更加紧凑，制成兼容性更好，并且工艺灵活性极高，不仅提升了集成电路的生产效率，还对综合运营成本有所降低。
作为12英寸的高端CMP设备，其相比较于传统的设备而言，普遍增加了50%数量的研磨模组，通过增加研磨模组的数量，使得设备的产出率普遍有所提高。除此之外，CMP因为兼顾了多种工艺优势的原因，在性能方面，可谓是全面超出传统的设备。
目前，中硅科技已经在国内开始联系合作客户，建立合作关系，并且布局全球。
多领域突破
事实上，众硅科技的突破并非是我国在继承电路半导体领域首次获得了跨越性突破，随着国家对于芯片半导体的逐渐重视，越来越多的学校减少芯片半导体领域相关的课程。与此同时，也有越来越多的企业加大在集成电路与半导体领域的研究投入，使得中国半导体企业的科技不仅在技术方面获得了飞速的发展，在对自主研发也更加重视。
前段时间，南京大学在之前的研究基础之上，进一步创新，设计出了一种表面梯度掺杂诱导δn-i-p超浅结SiC二极管，并且通过一系列相关的工艺技术，成功突破了国家上现有的研究成果，成功实现了国际守支宽禁带半导体pn结型EUV探测器。
与此同时，中国上海交通大学金贤敏教授的团队在其研究方向也取得了重大的突破，而根据报告显示，该团队主要面对三维集成芯片方面的研究，本次所取得的重大突破是，该团队利用飞秒激光直写技术，成功制造出了高达49*49的三维集成光量子芯片，并且该芯片组主要的特征为三维积成光量子芯片，帮企鹅帮中国成为首先掌握该技术的国家。
除了这些在某一领域取得重大的突破之外，我国的企业与学校以及一些研究机构在光刻机领域还取得了许多巨大的进步和成效。
目前，在中低端光刻机领域我国已经取得了巨大的进步，不仅能够独立完成相关设备的设计与建造，更是在成本和功能方面不断改善。目前，哪怕是作为世界老牌的光刻机生产商ASML，也对中国的制造的光刻机感到新奇与压力。
独立研发，自主突破
对于中国继承电力和半导体领域而言，自主研发的重要性不可言喻。只有完全自主研发，才能避免受限于人。在2000年前后，中国还没有人认识到美国会用怎样无赖的行为封锁国家的科学技术流入，直到美国限制向华为等一系列中国企业出口芯片，直到美国限制ASML自主出货给中国，从源头上阻止中国继承电路和芯片半导体领域的突破。
目前为止，我国正在大力倡导高高校开展集成电路专业，而各高校也积极反应，在学校当中新增加了集成电路学院，增设了相关的课程，可以方便学生进行自主学习。另外一方面，国家也大力倡导企业进行相关科技的研发，从中芯国际以及华为等一系列企业开始，还有一些研究所，也都在这方面投入了大量的资金研发。
小结：
我国在集成电路芯片半导体领域当下，已经取得了十分重大的技术突破，甚至某些领域已经掌握了全球最为先进的相关技术，但是不可否认的是，集成电路芯片半导体领域，我国还有很多方面落后与人，只有继续增强自主研发的重视和投入，才能追赶上西方发达国家的脚步，甚至是实现弯道超车。不知道对于我国众硅科技以及其他一些企业所取得的成绩突破是如何看待的呢？欢迎点赞在评论区留言，发表您的看法。
