本周五，美国商务部BIS (Bureau of Industry and Security) 发布一项暂行最终规定，主要是对4项技术的出口做出控制：包括宽禁带半导体相关材料氧化镓 (Ga2O3) 和金刚石；特别针对GAAFET晶体管结构的ECAD (Electronic Computer-Aided Design) 软件；燃气涡轮发动机使用的增压燃烧 (Pressure Gain Combustion) 技术。
规定生效时间为8月15日。这项出口限制规定并未特别指明针对中国，不过很显然对美国竞争对手之外的国家和地区半导体技术发展起到了持续的抑制作用，是此前出口限制规定的进一步扩展。
4项技术中比较惹人注目的是其中“特别针对GAAFET晶体管结构的ECAD软件”。BIS发布新闻稿中明确提到，ECAD是用于设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板性能的软件工具；而GAAFET技术则是未来半导体尖端制造工艺向3nm及更先进节点迈进的基础。这里的ECAD基本可以窄化为我们常说的EDA工具。
但部分公众号和国内媒体单纯将这一事件解读为“断供EDA”，甚至将范围指向全部EDA工具是片面、错误的。规定全文参见：Implementation of Certain 2021 Wassenaar Arrangement Decisions on Four Section 1758 Technologies
主要针对GAAFET晶体管的EDA工具做出出口限制，对中国和更多国家地区会有什么样的影响呢？EDA作为即将于8月16日、17日举办的IIC 2022（国际集成电路展览会暨研讨会）的重要议题，受到普罗大众的关注。
由Aspencore主办的IIC 2022（国际集成电路展览会暨研讨会）将在8月16日于南京国际博览中心2号馆举办。为期2天的IIC除吸引大量国内外半导体与集成电路相关企业参与展会，同期还将举办2022中国IC领袖峰会、2022国际“碳中和”电子产业发展高峰论坛、MCU技术与应用论坛、高效电源管理及宽禁带半导体技术应用论坛、EDA/IP与IC设计论坛，以及2022中国IC设计成就奖颁奖典礼。
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GAAFET代表了半导体的未来
我们在此前的文章中多番解读过预计明年就会大规模上市的3nm工艺——其中三星（Samsung Foundry）将在3nm这代工艺节点上采用GAAFET结构的晶体管。
晶体管结构随着半导体制造工艺的进步，也经过了多次迭代。20nm工艺以前，平面结构的Planar FET晶体管占据半导体制造技术的主流。但节点发展到20nm工艺之际，因为晶体管越来越小，短沟道效应开始凸显，也就无法进行有效的静电控制。
来源：Lam Research
所以FinFET结构晶体管出现了，“Fin”（鳍）伸了出来，如上图所示。这种结构有效增大了沟道接触面积。只要把Fin做得更高，就能达成更宽的有效宽度来提升输出电流。
但在时代进入到3nm节点前后，FinFET结构也开始暴露出问题。首先是随着gate length的进一步变短，FinFET结构也很难再提供有效的静电控制。与此同时，要把单元（cell）结构进一步缩小，Fin的数量也要减，问题就变得更大了。
说到底都是在晶体管持续变小的过程里，性能越来越难以保证。于是GAAFET结构出现：相当于把原来FinFET的Fin水平横置出来，以前叫做Fin，掉个方向就叫nanosheet（所以GAAFET也叫nanosheet FET）。由于nanosheet被gate（栅极）四面环抱，所以就叫gate-all-around FET（GAAFET），接触面积自然也就更大了。
