鞭牛士 6月29日消息，据BusinessKorea报道，三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极（GAA）技术的3纳米半导体。GAA晶体管结构优于目前的FinFET结构，因为它可以减少芯片尺寸和功耗。
如果消息属实的话，那么三星电子将抢先台积电和英特尔量产3纳米芯片，后两家公司分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产3纳米芯片。
此前，台积电宣布称，3纳米芯片取得重大突破，将在8月份投片。而英特尔的纳米芯片将在7月实现量产。
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