据《PC watch》6月15日报道，铠侠目前正在开发7级单元的3D NAND闪存，暂时只能在实验室的低温条件下实现。目前铠侠并未为7级单元的3D NAND闪存命名。
在今年的IMW 2022会议上，铠侠介绍了此项技术相关的研究成果。早在2019年，铠侠就开始研究5级单元的PLC 3D NAND闪存。在去年的IMW 2021上，铠侠就展示过6级单元的HLC 3D NAND闪存。可以说，本次公布的结果是本研究进一步推进的结果。
而美光研究了3D NAND闪存技术的缩放技术。美光认为，提高3D NAND闪存密度和容量的最有效方法是垂直于硅片表面堆叠存储单元。目前美光已经开发并量产了176层和大量堆叠单元的3D NAND闪存。
在IMW 2022之前，美光在投资者简报会上宣布，已开发出232层3D NAND闪存技术。简单计算，存储密度是176层的1.32倍。
另据超能网消息，目前市场上常见的4级单元的QLC 3D NAND闪存，电压变化也就16级，显然7级单元的3D NAND闪存的难度要大得多。自2000年二级单元的MLC 3D NAND闪存出现以来，主控芯片变得越来越复杂，开发和制造成本也越来越高。即便闪存芯片的价格下降了，主控芯片的价格上涨也会抹掉成本优势。
当前，NAND闪存制造商们一直在尝试增加每个单元存储的位数来提高存储密度，《PC watch》报道指出，实现3D NAND闪存的技术将变得更加困难，但尚未看到极限，存储密度的提高还是值得期待的。
封面图片来源：拍信网
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