器件
复旦大学高分子基纤维状能源器件研究领域取得重要进展
在国家自然科学基金委(资助号20904006、91027025、21225417)等项目的资助下,复旦大学彭教授课题组在高性能纤维状新能源高分子复合材料和器件领域取得了一系列重要突…
一种研究单层二硫化钼带结构的新模型
近期,研究人员提出了一个分析带计算(analytical band calculation, ABC)模型来研究单层二硫化钼的带结构。对于二维(2D)材料来说,一个半导体层的厚度约…
10 Gbit每秒!单极性量子光电子在9µm波长下进行自由空间数据传输
江苏激光联盟导读: 比特率超过10 Gbit s 1的自由空间光学数据传输通过在室温下使用单极性量子光电系统在9µm波长下进行演示,该系统由量子级联激光器、调制器和量子级联检测器组…
中国科大在InGaAs单光子探测芯片设计制造方面取得重要进展
中国科学技术大学光学与光学工程系王亮教授课题组设计并制备的InGaAs单光子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计金属—分布式布拉格反射器优化单光子探测器芯片的光学性能,完成低…
中科院狄增峰研究团队在晶圆级范德华接触阵列研究获进展
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室狄增峰研究团队基于锗基石墨烯衬底开发出晶圆级金属电极阵列转印技术,在二维材料与金属电极的大面积无损范德华集成研究…
中科大在InGaAs单光子探测芯片取得重要进展
澎湃新闻记者 王蕙蓉 近日,中国科学技术大学光学与光学工程系教授王亮课题组设计并制备的InGaAs(砷化铟镓)单光子探测器芯片取得重要进展。 前述团队通过设计金属—分布式布拉格反射…
晶圆级范德华接触阵列研究获进展
来源:【中国科学院】 近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室狄增峰研究团队基于锗基石墨烯衬底开发出晶圆级金属电极阵列转印技术,在二维材料与金属电极的大…
第三代半导体投资:碳化硅如何引领“芯”浪潮?
来源:【科学网】 半导体作为众多高新产业的关键核心材料,近年来正成为市场聚焦的新赛道。据不完全统计,2022年上半年中国半导体行业共有180余起投融资事件,其中第三代半导体作为全新…
片上拓扑彩虹器件研究获进展
来源:【科学网】 近日,暨南大学光子技术研究院研究员丁伟团队和北京理工大学教授路翠翠团队、北京大学教授胡小永团队合作,在片上拓扑彩虹器件研究中取得重要进展,首次在纳米尺度的芯片上观…
太赫兹量子器件光电测试技术与系统
摘要 光电测试技术是太赫兹辐射研究的重要基础技术。文章首先介绍两种太赫兹量子器件的工作原理和最新进展,随后主要介绍太赫兹量子器件在脉冲激光功率测量技术、快速调制与直接探测技术、激光…