化学式为A3B型化合物超导体被定义为A15型晶体结构。这种类型晶体包含一大类化合物超导体，Nb3Sn、V3Ga、V3Si、Nb3Al、Nb3Ga和Nb3Ge等多种同型结构，即有相同空间群，相同晶格，同型分子式，原子占位 分别在同一空间群Pm3n中相同特殊等效位置（坐标无可变参数）。
自1911年发现单质Hg在4.15K呈现超导电性后，逐渐发现新的超导体，提高超导转变温度，直到发现高温超导体。本文作者探索的路径正好相反，不是从一种理论起步，而是来自大量的实验和观察。首先接触的是高温超导体结构和性能关系的探索。研究晶体结构和超导电性关系，在高温超导体中，晶格错配和超晶格是这类超导体重要结构持征，从而走上了由高向低，探索不同结构超导体的超导机理之路。前不久伟大的石墨烯实验又证实了晶格错配和超晶格产生超导电性。使作者更加相信，用晶体学视角探索超导体的超导机理可以继续前进。本文走进以Nb3Sn为代表探索A3B型低温超导体的超导机理。
Nb3Sn是发现应用较早的低温超导体。临界转变温度Tc 18.1K，临界磁场Hc 22.5T（4.2K）实用主要用于超导磁体。
该晶体结构为Pm3n（223）空间群，立方晶系，简单晶格，一个简单晶胞中含两个分子（式）Nb3Sn，即Z 2。晶格常数a 0.5290nm。参考数据来源于PDF，序号为19一875。晶体结构见图1.（a）。该图是依据网上查到的同型结构Nb3Ge结构图1.（b）作参考，依据空间群表用手工另画的。因为网上图只能参考不能用，似是“两个晶胞”，又不像立方，每个晶胞原子位置表达模糊，而且不全。但参考意义还是很大的。因为Pm3n（223）空间群，特殊等效位置a是两个等效点，正好Sn原子占据。而6个Nb原子占据的等效位置有b、c、d三种可能等效位置。如果没有图1.（b）作参考就不敢确定Nb的占位是哪一组。参考图1.（b）后，才可以确定Nb3Sn晶体结构中Nb原子占6d位。这才可以依据空间群表写出原子坐标，画出结构图。如图1.（a）所示的原子分数坐标：
2Sn：0，0，0；
1／2，1／2，1／2。
6Nb：1／4，1／2，0；
3／4，1／2，0；
（前后一对原子）
0，1／4，1／2；
0，3／4，1／2；
（左右一对原子）
1／2，0，1／4
1／2，0，3／4l
（上下一对原子）
请注意周期性概念。两对面画出的两个原子那是同一个原子。顶角画出的8个原子是同一个原子。只有体心上原子，才一个是一个。
图1.（a）手工绘制的Nb3Sn晶体结构图。小黑球为Sn原子，大红球为Nb原子
图1.（b）网上搬来Nb3Ge晶体结构图。小兰色球为Ge原子，大红球为Nb原子
有了具有原子分数坐标的晶体结构模型，就可以从不同视角仔细观察Nb3Sn结构特征。图1.（a）可以发现，分别在等价的a，b，c方向原子层都是2层一重复，4层一个周期（晶格），Nb2Sn层，Nb层，Nb2Sn层，Nb层，Nb2Sn层，……。最后一层相当于第一层，完成晶体结构一个周期。在Nb2Sn原子层中，由于2Nb平行排在Sn成正四方排布结构间隙。借用图2.说明这层原子排布与对称性特征。实际上Nb3Sn晶体结构原子大小也不是这样，原子间距也不是这样。见下面分析。
图2.借用此图呈现原子排布和二维对称性
使二维晶格失去4次对称性，只有2次轴和两个对称面。a、b、c的三维方向排列形成立体网格状。先看面内原子列排列，Sn列，Nb列，Sn列，Nb列……，两列一重复。两原子列之间距离是晶格常数的1／2，等于0.2645nm。两种原子列上的原子各自是等间距，Sn原子的间距是Nb的2倍，即为0.2645nm，Nb原子间为0.13225nm。查表得Sn的共价半径数值，计算得到直径为0.268nm，查得金属键Sn原子直径为0.280nm。表明Sn原子列原子间以共价键为主。查得6配位4价Nb离子半径为0.068nm，两离子“球”碰“球”，即直径为0.136nm。与Nb3Sn晶体结构中Nb列的列内原子之间的间距0.132nm十分相近。表明Nb原子列中的原子接近4价6配位离子键。
再看Sn原子，原点位置（0，0，0）的Sn和体心位置（1／2，1／2，1／2）的Sn之间的间距为晶胞的体对角线的1／2，即0.485nm。查阅Sn的原子半径，共价半径，金属半径，离子半径，其直径都没有这么大。由此得出结论，Nb3Sn的晶体结构不是模型所示那样，认为Sn原子排在成体心立结构，Nb原子在三个轴方向分别插入其结构间隙中。而正好相反，是Nb原子在三个轴方向排列成原子列，间隔一定距离，没有公用结点，形成三维立体“框架”状。Sn原子以体心立方排布状态插入框架形成的Nb多面体间隙中。坐标原点的Sn和体心位置的Sn有不同Nb原子配位。原点的Sn与6个近临Nb配位，体心的Sn与12个Nb原子配位。两种位置配位不同，但Sn一Nb间最小间隙是相同的，都是矢量（1／2）a （1／4）b，即 ｛（0.5a）^2+（0.25a）^2｝ 0.2957nm。从原子半径，共价半径，金属半径和离子半径表查得结果，介于原子半径和金属半径之间。如果二者是原子半径“球”碰“球”，两原子间距为0.308nm，大了。如果是金属半径球碰球，两原子间距为0.283nm，小了。从而判断Nb一Sn之间应该介于原子键和金属之间。
通过上述分析，可以概括表述Nb3Sn型晶体结构特征。Nb原子分别成等间距排成一维原子列。原子列分别在互为垂直的方向成二维平面排列，並巧妙的实现原子列没有共同结点（不相交）的三维立体“网格”结构，形成结构的“骨架”。Sn原子占位在这种骨架结构的两种多面体间隙中。立方晶胞的体心位置，Sn原子与Nb原子形成12配位；顶角位置（原点）的Sn原子与Nb原子成6配位。
现在可以探索Nb3Sn超导机理了。在降低温度或加压作用下晶体结构内部因不同部分动作並不协同，能量升高，达到一定程度产生结构调整。对现在探索的Nb3Sn型晶体结构来说，总体上说就是Nb所形成的结构“框架”，与成体心立方排布Sn动作不协同，可以分两种视角说明同一机制。第一种，结构中三个方向的二维晶格，均存在一个Nb和Sn间隔排列的原子列，由于两种原子列状态和物理化学性质不同，在降温或升压时，动作不协同，升高结构能量。第二种视角，Sn原子在Nb原子框架结构中，占据不同配位的两种多面体间隙中。在降温或升压过程中，二者动作不协同，升高结构能量。无论那种视角，当能量升高到一定程度，产生结构调整，释放能量，形成晶畴（分晶格）或超晶格。产生不同区域晶格振动，对抗干扰或钉扎，在高于绝对零度以上18.1K呈现零晶格振动，产生超导电性。
总括以前探索的超导体和本文探索的Nb3Sn的超导机理，一个结论，一个观点：超导电性产生于晶体结构，形成分晶格或超晶格，促使晶格振动在稍高于（单质金属），高于（低温超导体）或远高于（高温超导体）绝对零度，呈现晶格振动为零，产生超导电性。
在题外作者想说几句话
该文在起步时从网上得到的结构模型只能看不能用，需要依据空间群重新给出原子坐标和结构图。因为作者手头没有空间群表，是中国科学技术大学微结构实验室（理化分析中心）高关胤老师提供空间群表和空间群Pm3n（223）页面。起了重要作用。他以前也曾给作者提供过当前材料科学研究进展信息。在这里一并表示感谢！
