在芯片领域有两大类应用最为广泛,一类是承担计算功能的逻辑芯片,像CPU、GPU、AI等;另一类是承担存储功能的存储芯片,这两类在芯片市场上的份额基本相当。
然而,我们的芯片整体落后,存储芯片也不例外,还是主要依赖进口。不过,近年来情况正在逐步改变,涌现出了长鑫存储、长江存储等。近日,“国家队”也入局。
了解存储分类及发展历程
存储芯片按数据是否易失,可分为非易失性存储芯片、易失性存储芯片两大类。非易失性存储芯片分为只读存储器和FLASH,FLASH又分NOR FLASH、NAND FLASH。
易失性存储芯片分动态随机访问存储器(DRAM)与静态随机访问存储器(SRAM)。
是不是一看这些分类就有点懵了,其实简单说,存储芯片就分为能够长期存储的和临时存储的两类,长期存储的重点是NAND FLASH,临时存储的重点是DRAM。
整个存储芯片中,NAND FLASH占41%份额,DRAM占56%份额。这两种加起来就占到97%,其他的存储芯片总共才3%。也就是说,存储芯片主要用的就是这两种。
存储芯片的应用非常广泛,尤其是DRAM,我们常常称之为内存条,使用率、需求度在所有关键组件中排名第一,电脑、手机、平板、工业电子、安防设备等都需要。
但目前的存储市场依然被国外垄断,主要是韩企三星、SK海力士和美企美光三家。
其实,DRAM于上世纪70年代起源于美地区,英特尔率先推出商用,之后DRAM开始热度上升,竞争开始激烈,包括德州仪器在内的美企,10年时间将英特尔挤出局。
就在美企 “内卷”的时候,日本盯上了DRAM,召集东芝、日立等和对DRAM有研究的专家,坂本幸雄便是DRAM项目的带头人之一,抓住机会成为全球DRAM霸主。
美企内卷,日本得利,推火DRAM又被迫出局的英特尔当然不爽,于是建议制裁。
“国家队”开始硬核入局
后来,在英特尔创始人诺伊斯的极力游说下,美通过特殊手段对日下手,日企最终放弃了DRAM,坂本幸雄等抗议也没用,日方DRAM从此衰落,不少人才被美收编。
2000年之后,韩国成了美DRAM追随者,还倾全国之力支持DRAM研发,才让三星、SK海力士在存储领域迅速崛起,和美光成为存储三巨头,三家占全球94.1份额。
2010年之后,国内开始重点布局存储产业,借鉴全球存储成长史,全力支持发展。
其中,长江存储主要进军NAND FLASH,长鑫存储重点进攻DRAM。这个企业在国内存储领域最为突出,技术正在接近全球顶尖的水平,市场份额也在不断地扩大。
这时,“国家队”也出手了。近期,一家DRAM存储芯片公司成立,名叫昇维旭。它之所以备受关注,一方面因为它是深圳国资100%持股,属于典型的“国家队”。
另一方面请来了日本芯片领袖人物坂本幸雄加盟,他在日本DRAM领域地位很高。
上边已经提到,坂本幸雄是日本当年DRAM项目的带头人之一,他见证了日本DRAM的崛起和衰落,心里一直不服气,一直想对如今称霸的美韩DRAM产业予以反击。
坂本幸雄表示将贡献自己的全部力量,大陆有好的发展基础,必将实现存储反超。
再者,深圳是培育出华为、比亚迪等领军企业的地方,有利于昇维旭DRAM产业的快速成长。另外,此次出资50亿元,深圳国资100%持股,足以看出突围的决心。
不过,存储市场突围非常不易。因为三星、SK海力士和美光三巨头已经发展多年,市场份额占比也很大,他们也在加大投入,进一步扩大市占率,也设置了不少壁垒。
尽管追赶之路困难重重,但只要我们下决心去做,一步一个脚印,总能实现突围!