据韩联社6月22日消息，三星电子预计将在下周宣布大规模生产3纳米芯片，下一代3纳米芯片将建立在Gate-All-Around（GAA）技术之上。三星称，与现有的FinFET工艺相比，该技术将使芯片面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。
今年5月美国总统拜登访韩时参观了三星的平泽工厂，三星向其展示了该公司的3纳米芯片。
三星与台积电在芯片制造领域保持激烈竞争。全球最大的合约芯片制造商台积电表示，它将在今年下半年开始大规模生产3纳米芯片。而此前三星表示，其2纳米工艺节点正处于早期开发阶段，计划在2025年实现量产。
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