台积电(TSMC)无疑在以ARM为基础的芯片组制造领域的领导者。
该公司的现代4nm工艺现在正被联发科和高通使用。台积电也是苹果A系列芯片的重要合作伙伴，尽管苹果一直在投资5nm工艺。
虽然高通在今年年初使用了三星电子的制造工艺，但是由于受热和效率低下，并没有让高通满意，特别是对骁龙8Gen1的推广受影响。
所以高通决定转移到台积电，并在合作关系下代工骁龙8+ Gen 1。台积电在明年成为高通主要力量，该公司已经详细规划了3nm和2nm制造工艺。
这家总部位于台湾的芯片制造商将于今年下半年推出3nm芯片，在2025年将2nm技术推向世界舞台。3nm节点将出现在五个级别。这将在功率、晶体管数量和效率方面有所不同。
它们分别是:N3、N3E(增强)、N3P(性能增强)、N3S(密度增强)和N3X(超高性能)。
该公司还透露了一些关于2nm节点的细节。根据他们的说法，在相同的功率消耗下，即将推出的节点将提高性能10%到15%。
与N3E节点相比，在相同频率和相同晶体管数量的情况下，它们将减少25%到30%的消耗。
与N3E相比，N2将使芯片密度增加1.1倍。台积电借此机会推出了GAAFETs(即栅全能场效应晶体管)。新的纳米片晶体管将通过减少电阻来提高每瓦特的性能。
我们已经习惯了每年都有新的制造工艺问世。
然而，到2024年，台积电和三星公司似乎会坚持使用更高效的3nm工艺。三星电子向投资者介绍说，正在准备在今年上半年(1 ~ 6月)将基于gaa的3nm工艺投入生产。
三星Foundy将于2022年批量生产3nm芯片。同样，其2nm芯片也将于2025年投产。
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